BUY48. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUY48
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 170 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO39
Аналоги (замена) для BUY48
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUY48 даташит
buy48x.pdf
BUY48X Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 120V dia. IC = 7A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3
buy48smd05.pdf
BUY48SMD05 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296) 0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 170V IC = 7A 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) All Semelab herm
buy48smd.pdf
BUY48SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 170V IC = 7A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (0
Другие транзисторы: BUY43-16, BUY43-6, BUY44, BUY46, BUY46-10, BUY46-4, BUY46-6, BUY47, BC639, BUY48SM, BUY49, BUY49P, BUY49S, BUY50, BUY51, BUY51A, BUY52
History: 2SC4400-5 | PN3638A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor



