C166. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: C166

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO237

 Аналоги (замена) для C166

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

C166 даташит

 0.1. Size:177K  inchange semiconductor
 2sc1667.pdf pdf_icon

C166

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1667 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min) CEO(SUS) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Automotive ignition Switching regulator Motor control applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

Другие транзисторы: C1-12, C118, C119, C12-28, C1-28, C150, C155, C155P, 2SC2383, C166P, C168, C169, C2, C25-12, C25-28, C266, C266P