C266P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: C266P
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO237
Аналоги (замена) для C266P
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
C266P даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: C166, C166P, C168, C169, C2, C25-12, C25-28, C266, TIP32C, C2-8, C2-8Z, C3-12, C3-28, C400, C40-28, C407, C420
History: ZXTN2010G | BSR13 | BC556ATA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458