Биполярный транзистор CA3081EX - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CA3081EX
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: PLCC20
CA3081EX Datasheet (PDF)
ca3081.pdf
CA3081, CA3082S E M I C O N D U C T O RGeneral Purpose High CurrentN-P-N Transistor ArraysMay 1994March 1993Features Description CA3081 - Common Emitter Array CA3081 and CA3082 consist of seven high current (to 100mA)silicon n-p-n transistors on a common monolithic substrate. The CA3082 - Common Collector ArrayCA3081 is connected in a common emitter configuration and t
ca3086.pdf
S E M I C O N D U C T O R CA3086General Purpose N-P-NTransistor ArrayMarch 1993Applications Description Three Isolated Transistors and One Differentially Con- The CA3086 consists of five general-purpose silicon n-p-nnected Transistor Pair For Low-Power Applications transistors on a common monolithic substrate. Two of thefrom DC to 120 MHz transistors are internally connected to
ca3083.pdf
S E M I C O N D U C T O R CA3083General Purpose High CurrentN-P-N Transistor ArrayMarch 1993Features Description High IC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA Max The CA3083 is a versatile array of five high current (to100mA) n-p-n transistors on a common monolithic substrate. Low VCE sat (at 50mA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7V MaxIn
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
