CCS2008G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CCS2008G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CCS2008G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CCS2008G даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: CCS2001, CCS2001G, CCS2004, CCS2004B, CCS2004D, CCS2006, CCS2006G, CCS2008, 2N3904, CCS2008GF, CCS2053, CCS2053EFG, CD0014N, CD0014NA, CD0014NG, CD15000C, CD15000D