CD0014N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CD0014N  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CD0014N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CD0014N даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: CCS2004D, CCS2006, CCS2006G, CCS2008, CCS2008G, CCS2008GF, CCS2053, CCS2053EFG, C1815, CD0014NA, CD0014NG, CD15000C, CD15000D, CD15000E, CD1602, CD1802, CD1803