Справочник транзисторов. CD15000C

 

Биполярный транзистор CD15000C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: CD15000C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для CD15000C

 

 

CD15000C Datasheet (PDF)

 9.1. Size:26K  shaanxi
3cd150.pdf

CD15000C

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CD150PNP Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Heavy output current.Small saturation voltage drop. Good temperature stability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611. 3. Use for power amplify, Low-speed switch, power adjustment. 4. Quality Class: JP, JT, JC

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 1402

 

 
Back to Top