CD95 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CD95  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO77

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CD95

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CD95 даташит

 0.1. Size:234K  cdil
 cd9581.pdf pdf_icon

CD95

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR CD9581 TO-92 CBE General Purpose Transistor. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C ) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current IC 100 mA Power Dissipation

Другие транзисторы: CD91, CD912, CD92, CD922, CD93, CD932, CD94, CD942, 2SC945, CD951, CD952, CD96, CD962, CD97, CD972, CD98, CD982