CD96 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CD96  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO77

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CD96

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CD96 даташит

 0.1. Size:223K  cdil
 cd965.pdf pdf_icon

CD96

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CD965 TO-92 Plastic Package B C E For Low Frequency Power Amplification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 20 V VCBO Collector Base Voltage 40 V VEBO Emitter Base Voltage 7 V IC Collector Current

Другие транзисторы: CD922, CD93, CD932, CD94, CD942, CD95, CD951, CD952, S9013, CD962, CD97, CD972, CD98, CD982, CDC8002, CDC9002, CDN055