CDQ10013 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CDQ10013  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 125 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 85 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CDQ10013

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CDQ10013 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: CDQ10005, CDQ10006, CDQ10007, CDQ10008, CDQ10009, CDQ10010, CDQ10011, CDQ10012, 431, CDQ10014, CDQ10015, CDQ10016, CDQ10017, CDQ10018, CDQ10019, CDQ10020, CDQ10021