CDT1312 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CDT1312  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CDT1312

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CDT1312 даташит

 9.1. Size:172K  cdil
 cdt13003.pdf pdf_icon

CDT1312

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON POWER TRANSISTOR CDT13003 TO-220 Plastic Package Applications Suitable for Lighting, Switching Regulator and Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage 600 V VCEO Collector Emitter (sus) Voltage 400 V Emitter Base Voltage VEBO

Другие транзисторы: CDQ10053, CDQ10054, CDQ10055, CDQ10056, CDQ10057, CDQ10058, CDT1310, CDT1311, TIP42C, CDT1313, CDT1315, CDT1319, CDT1320, CDT1321, CDT1322, CDT1349, CDT1349A