Биполярный транзистор CG126B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CG126B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.015 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: MICRO-X
CG126B Datasheet (PDF)
9.1. Size:178K lzg
3cg1260.pdf
3cg1260.pdf
2SB1260(3CG1260) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: Power amplifier applications. : 2SD1898(3DG1898) Features: High breakdown voltage, good h linearity, low V , complements FE CE(sat)the 2SD1898(3DG1898). /Absolute maximum ratings(Ta=25
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050