CI3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CI3  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CI3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CI3 даташит

 0.1. Size:587K  tokmas
 ci30n120sm.pdf pdf_icon

CI3

1200V SiC N-Channel MOSFET CI30N120SM CI30N120SM Features Package High Blocking Voltage with Low On-Resistance High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant Benefits Higher System Efficiency (3) (1) (2) Reduced Cooling Requirements Increased Power Density TO-247-3

Другие транзисторы: CI2711, CI2712, CI2713, CI2714, CI2923, CI2924, CI2925, CI2926, 2N2222, CI3390, CI3391, CI3391A, CI3392, CI3392A, CI3393, CI3394, CI3395