Биполярный транзистор CI3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CI3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Корпус транзистора: TO72
CI3 Datasheet (PDF)
0.1. Size:587K tokmas
ci30n120sm.pdf
ci30n120sm.pdf
1200V SiC N-Channel MOSFETCI30N120SMCI30N120SMFeatures Package High Blocking Voltage with Low On-Resistance High Speed Switching with Low Capacitances Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBenefits Higher System Efficiency (3) (1) (2) Reduced Cooling Requirements Increased Power DensityTO-247-3
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050