CI4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CI4

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для CI4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CI4 даташит

 0.1. Size:423K  citcorp
 ci40t120p.pdf pdf_icon

CI4

CI40T120P 40A1200V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-3P High current capability. High input impedance. 0.543(13.8) 0.197(5.00) 0.528(13.4) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CI40T120PG. 0.181(4.60) 0.065(1.65) 0.386(9.8) 0.057(1.45) 0.370(9.4) 0.157(4.0) 0.142(3.6) 0.622(15.8)

 0.2. Size:797K  tokmas
 ci47n65.pdf pdf_icon

CI4

CI47N65 650V Super -Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant Fast Body Diode APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Absolute Maximum Ratings at Tj= 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS =

Другие транзисторы: CI3416, CI3417, CI3704, CI3705, CI3706, CI3900, CI3900A, CI3901, 2SD718, CI4256, CI4424, CI4425, CI5, CIL147, CIL147A, CIL147B, CIL148A