Биполярный транзистор CIL352 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CIL352
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO18
CIL352 Datasheet (PDF)
9.1. Size:217K cdil
cil351 2.pdf
cil351 2.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CIL 351CIL 352TO-18Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 70 VVCBOCollector Base Voltage 75 VVEBOEmitter Base Voltage 6VICCollector Curren
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
