CIL352. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CIL352

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для CIL352

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CIL352 даташит

 9.1. Size:217K  cdil
 cil351 2.pdf pdf_icon

CIL352

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CIL 351 CIL 352 TO-18 Metal Can Package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCEO Collector Emitter Voltage 70 V VCBO Collector Base Voltage 75 V VEBO Emitter Base Voltage 6V IC Collector Curren

Другие транзисторы: CIL298, CIL331, CIL332, CIL333, CIL341, CIL342, CIL343, CIL351, BC547, CIL368, CIL369, CIL371, CIL372, CIL373, CIL381, CIL382, CIL391