Биполярный транзистор 2N3375 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3375
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO62
2N3375 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N3352DCSM , 2N335A , 2N335B , 2N336 , 2N336A , 2N337 , 2N3371 , 2N3374 , 13003 , 2N337A , 2N338 , 2N3388 , 2N3389 , 2N338A , 2N339 , 2N3390 , 2N3390U .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050