CJD44H11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJD44H11

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: DPAK

 Аналоги (замена) для CJD44H11

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJD44H11 даташит

 9.1. Size:180K  jiangsu
 cjd4410.pdf pdf_icon

CJD44H11

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD4410 N-Channel 30-V(D-S) MOSFET TO-2 51-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE 2. DRAIN APPLICATIONS 3. SOURCE Load Switch Battery Switch Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage

 9.2. Size:167K  jiangsu
 cjd4435.pdf pdf_icon

CJD44H11

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-251-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJD4435 P-Channel 30-V(D-S) MOSFET TO-251-3L FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. DRAIN 3. SOURCE Load Switch Battery Switch Maximum ratings ( Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage

Другие транзисторы: CJD2955, CJD3055, CJD31C, CJD32C, CJD340, CJD350, CJD41C, CJD42C, 2SC2383, CJD45H11, CJD47, CJD50, CK100, CK13, CK13A, CK14, CK14A