CMPT6429. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMPT6429

Маркировка: C1L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для CMPT6429

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMPT6429 даташит

 ..1. Size:322K  central
 cmpt6428 cmpt6429.pdf pdf_icon

CMPT6429

CMPT6428 CMPT6429 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT6428 and CMPT6429 are NPN Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high gain amplifier applications. MARKING CODES CMPT6428 C1K CMPT6429 C1L SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25

Другие транзисторы: CMPT5087, CMPT5088, CMPT5089, CMPT5179, CMPT5401, CMPT5551, CMPT6427, CMPT6428, 2SC945, CMPT6517, CMPT6520, CMPT8099, CMPT8599, CMPT918, CMPT930, CMPTA06, CMPTA13