Справочник транзисторов. 2N3419

 

Биполярный транзистор 2N3419 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N3419
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 125 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N3419

 

 

2N3419 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  microsemi
2n3419.pdf

2N3419
2N3419

7516 Central Industrial DriveRiviera Beach, Florida33404PHONE: (561) 842-0305FAX: (561) 845-78132N3419APPLICATIONS: Power Supply Pulse Amplifier High Frequency Power Switching3 Amp, 125V,FEATURES:NPN Silicon Power Meets MIL-S-19500/393Transistors Collector-Base Voltage: up to 125VJAN, JTX, JTXV, JANS Peak Collector Current: 5A High Power

 ..2. Size:167K  aeroflex
2n3418 2n3419 2n3420 2n3421.pdf

2N3419
2N3419

NPN Meduim Power Silicon Transistor2N3418, 2N3419, 2N3420 & 2N34212N3418S, 2N3419S, 2N3420S & 2N3421SFeatures Available in commercial, JAN, JANTX, JANTXV, JANSand JANSR 100K rads (Si) per MIL-PRF-19500/393 TO-5, TO-39 (TO-205AD) PackageMaximum Ratings 2N3418, S 2N3419, SRatings Symbol 2N3420, S 2N3421, S UnitsCollector - Emitter Voltage VCEO 60 80 VdcCollector - Base

 9.1. Size:304K  fairchild semi
2n3416 2n3417.pdf

2N3419
2N3419

2N34162N3417B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 50 V

 9.2. Size:33K  fairchild semi
2n3415.pdf

2N3419
2N3419

2N3415B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsV Collector-Emitter Voltage 25 VCEOV Collector-Base Voltage 25 VCBOV

 9.3. Size:58K  central
2n3414 2n3415 2n3416 2n3417 mps3414 mps3415 mps3416 mps3417.pdf

2N3419

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:48K  microelectronics
2n3414.pdf

2N3419

 9.5. Size:63K  microsemi
2n3418.pdf

2N3419
2N3419

7516 Central Industrial DriveRiviera Beach, Florida33404PHONE: (561) 842-0305FAX: (561) 845-78132N3418APPLICATIONS: Power Supply Pulse Amplifier High Frequency Power Switching3 Amp, 85V,FEATURES:NPN Silicon Power Meets MIL-S-19500/393Transistors Collector-Base Voltage: up to 85VJAN, JTX, JTXV, JANS Peak Collector Current: 5A High Power Di

Другие транзисторы... 2N3411DCSM , 2N3412 , 2N3413 , 2N3414 , 2N3415 , 2N3416 , 2N3417 , 2N3418 , NJW0281G , 2N341A , 2N342 , 2N3420 , 2N3420A , 2N3420AL , 2N3420ALCC4 , 2N3420LCC4 , 2N3420SM .

 

 
Back to Top