CXT3019 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CXT3019  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CXT3019

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CXT3019 даташит

 9.1. Size:354K  central
 cxt3090l.pdf pdf_icon

CXT3019

CXT3090L www.centralsemi.com SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) DESCRIPTION NPN SILICON POWER TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3090L is a Low VCE(SAT) NPN Transistor in a Power SOT-89 surface mount package, designed for DC-DC converters for mobile systems and LAN cards, motor control, power management and strobe flash units. MARKING FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: CX956C, CX956D, CX958, CX958B, CX958C, CX958D, CXT2222A, CXT2907A, 9014, CXT3904, CXT3906, CXT4033, CXT5401, CXT5551, CXTA14, CXTA27, CXTA42