Справочник транзисторов. CZT122

 

Биполярный транзистор CZT122 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: CZT122
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для CZT122

 

 

CZT122 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  central
czt122 czt127.pdf

CZT122
CZT122

CZT122 NPNCZT127 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY SILICONThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT122, CZT127 POWER DARLINGTON TRANSISTORStypes are Complementary Silicon Power Darlington Transistors manufactured in a surface mount package designed for low speed switching and amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASESOT-223 CASEMAX

 ..2. Size:665K  jiangsu
czt122.pdf

CZT122
CZT122

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-223 CZT122 TRANSISTOR (NPN)FEATURES Complementary to CZT1271. BASE Silicon Power Darlington Transistors2. COLLECTOR Low speed switching and amplifier applications3. EMITTERMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit100VCBO Collector-Base Vo

 ..3. Size:197K  lge
czt122.pdf

CZT122
CZT122

CZT122 SOT-223 Transistor(NPN)1. BASE 2. COLLECTOR SOT-223 1 3. EMITTER Features Complementary to CZT127 Silicon Power Darlington Transistors Low speed switching and amplifier applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 100 VVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VDimensions in inches and (mi

 ..4. Size:304K  kexin
czt122.pdf

CZT122

SMD Type TransistorsNPN TransistorsCZT122 (KZT122)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features Silicon Power Darlington Transistors Low speed switching and amplifier applications1 2 3 Complementary to CZT1270.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Paramete

 9.1. Size:188K  lge
czt127.pdf

CZT122
CZT122

CZT127 SOT-223 Transistor(PNP)1. BASE SOT-2232. COLLECTOR 1 3. EMITTER Features Complementary to CZT122 Silicon Power Darlington Transistors Low speed switching and amplifier applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -100 VVCEO Collector-Emitter Voltage -100 VDimensions in inches and (

 9.2. Size:300K  kexin
czt127.pdf

CZT122

SMD Type TransistorsPNP TransistorsCZT127 (KZT127)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 Silicon Power Darlington Transistors Low speed switching and amplifier applications Complementary to CZT1221 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Paramete

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top