CZT32C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CZT32C  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CZT32C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT32C даташит

 ..1. Size:213K  lge
 czt32c.pdf pdf_icon

CZT32C

CZT32C SOT-223 Transistor(PNP) SOT-223 1. BASE 2. COLLECTOR 1 3. EMITTER Features Complementary to CZT31C Power amplifier applications up to 3.0 amps. Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -100 V VCEO Collector-Emitter Voltage -100 V VEBO Emitter-Base Voltage

Другие транзисторы: CZT127, CZT2222A, CZT2907, CZT2907A, CZT2955, CZT3019, CZT3055, CZT31C, 2SC2383, CZT3904, CZT3906, CZT4033, CZT5338, CZT5401, CZT5551, CZTA14, CZTA27