CZT5551 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CZT5551  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CZT5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT5551 даташит

 ..1. Size:527K  central
 czt5551.pdf pdf_icon

CZT5551

CZT5551 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER SOT-223 CASE SOT-223 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Col

 ..2. Size:669K  secos
 czt5551.pdf pdf_icon

CZT5551

CZT5551 NPN Transistor Elektronische Bauelemente Epitaxial Planar Transistor RoHS Compliant Product SOT-223 Description The CZT5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. 5 5 5 1 D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 Date Code E 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.3

 ..3. Size:1146K  jiangsu
 czt5551.pdf pdf_icon

CZT5551

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-223 CZT5551 TRANSISTOR (NPN) FEATURES High Voltage 1. BASE High Voltage Amplifier Application 2. COLLECTOR MARKING 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage 180 V CBO V Collector-Emitter Volt

 ..4. Size:924K  kexin
 czt5551.pdf pdf_icon

CZT5551

SMD Type Transistors NPN Transistors CZT5551 (KZT5551) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 4 Features High Voltage High Voltage Amplifier Application 1 2 3 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 180 Colle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CZT3055, CZT31C, CZT32C, CZT3904, CZT3906, CZT4033, CZT5338, CZT5401, 431, CZTA14, CZTA27, CZTA42, CZTA44, CZTA64, CZTA92, D100, D100P