Биполярный транзистор D10B1055 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: D10B1055
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SIP
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам