D11C10F1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D11C10F1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.13 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO37

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D11C10F1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D11C10F1 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D10G1052, D115, D11B1052, D11B1055, D11C1051, D11C1053, D11C1057, D11C10B1, C1815, D11C11B1, D11C11F1, D11C1536, D11C1B1, D11C1F1, D11C201B20, D11C203B20, D11C205B20