Биполярный транзистор D11C1F1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: D11C1F1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.13 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO37
Другие транзисторы... D11C1053 , D11C1057 , D11C10B1 , D11C10F1 , D11C11B1 , D11C11F1 , D11C1536 , D11C1B1 , TSB145 , D11C201B20 , D11C203B20 , D11C205B20 , D11C207B20 , D11C210B20 , D11C211B20 , D11C3B1 , D11C3F1 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050