D11C211B20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D11C211B20  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.13 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D11C211B20

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D11C211B20 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D11C1536, D11C1B1, D11C1F1, D11C201B20, D11C203B20, D11C205B20, D11C207B20, D11C210B20, 13007, D11C3B1, D11C3F1, D11C410, D11C5B1, D11C5F1, D11C702, D11C704, D11C7B1