D11C410 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D11C410  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO50

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D11C410

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D11C410 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D11C201B20, D11C203B20, D11C205B20, D11C207B20, D11C210B20, D11C211B20, D11C3B1, D11C3F1, D882, D11C5B1, D11C5F1, D11C702, D11C704, D11C7B1, D11C7F1, D11E404, D11E405