D12E026 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D12E026  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO77

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D12E026

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D12E026 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D11C702, D11C704, D11C7B1, D11C7F1, D11E404, D11E405, D11E406, D11E407, 2SC2073, D12E109, D12E126, D12X043, D12X047, D150, D1666, D16E7, D16E9