D16E9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D16E9  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 135 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D16E9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D16E9 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D12E026, D12E109, D12E126, D12X043, D12X047, D150, D1666, D16E7, BD335, D16G6, D16K1, D16K2, D16K3, D16K4, D16P1, D16P2, D16P3