D26P3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D26P3  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.09 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8000

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D26P3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D26P3 даташит

 0.1. Size:982K  st
 std26p3llh6.pdf pdf_icon

D26P3

STD26P3LLH6 P-channel 30 V, 0.024 typ., 12 A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDSS max ID PTOT TAB STD26P3LLH6 30 V 0.030 (1) 12 A 40 W 3 2 1. @ VGS= 10 V 1 RDS(on) * Qg industry benchmark DPAK Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate input resis

Другие транзисторы: D26E3, D26E4, D26E5, D26E6, D26E7, D26G1, D26P1, D26P2, 2SA1015, D27C1, D27C2, D27C3, D27C4, D27D1, D27D2, D27D3, D27D4