D31B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D31B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO202

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D31B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D31B даташит

 0.1. Size:138K  lzg
 3dd31b.pdf pdf_icon

D31B

TIP31(3DD31) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. TIP32(3CD32) Features Complement to TIP32(3CD32). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit Symbol Rating Unit TIP31 40 V 5.

Другие транзисторы: D2T2905, D2T2905A, D2T918, D30A1, D30A2, D30A3, D30A4, D30A5, 2222A, D32H1, D32H2, D32H3, D32H4, D32H5, D32H6, D32H7, D32H8