D32H1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D32H1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D32H1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D32H1 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D2T2905A, D2T918, D30A1, D30A2, D30A3, D30A4, D30A5, D31B, 2SC5198, D32H2, D32H3, D32H4, D32H5, D32H6, D32H7, D32H8, D32H9