2N3439CSM4 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N3439CSM4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N3439CSM4
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: LCC3

Аналоги (замена) для 2N3439CSM4

2N3439CSM4 Datasheet (PDF)

0.1. Size:94K semelab
2n3439csm4r.pdf

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3439CSM4 / 2N3439CSM4R 2N3440CSM4 / 2N3440CSM4R High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package. Ideally suited for drivers in high-voltage low current inverters, switching and series regulators. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) 2N3439 2N3440Symbols Parame

7.1. Size:94K semelab
2n3439c3b.pdf

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3439C3A / 2N3440C3A 2N3439C3B / 2N3440C3B 2N3439C3C / 2N3440C3C High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package. Variant B to MIL-PRF-19500/368 outline Ideally suited for drivers in high-voltage low current inverters, switching and series regulators. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =

7.2. Size:94K semelab
2n3439c3a.pdf