D32H9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D32H9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для D32H9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D32H9 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D32H1, D32H2, D32H3, D32H4, D32H5, D32H6, D32H7, D32H8, BC556, D32K1, D32K2, D32L1, D32L2, D32L3, D32L4, D32L5, D32L6