D32W9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D32W9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для D32W9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D32W9 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D32S9, D32W10, D32W11, D32W12, D32W13, D32W14, D32W7, D32W8, C1815, D33D1, D33D2, D33D21, D33D22, D33D23, D33D24, D33D25, D33D26