D33D1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D33D1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для D33D1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D33D1 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D32W10, D32W11, D32W12, D32W13, D32W14, D32W7, D32W8, D32W9, 2N5401, D33D2, D33D21, D33D22, D33D23, D33D24, D33D25, D33D26, D33D27