D33D25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D33D25

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для D33D25

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D33D25 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D32W8, D32W9, D33D1, D33D2, D33D21, D33D22, D33D23, D33D24, S8050, D33D26, D33D27, D33D28, D33D29, D33D3, D33D30, D33D4, D33D5