D33D30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D33D30

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для D33D30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D33D30 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D33D23, D33D24, D33D25, D33D26, D33D27, D33D28, D33D29, D33D3, TIP3055, D33D4, D33D5, D33D6, D33J21, D33J22, D33J23, D33J24, D33J25