Биполярный транзистор D33D30 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: D33D30

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO92

Другие транзисторы... D33D23 , D33D24 , D33D25 , D33D26 , D33D27 , D33D28 , D33D29 , D33D3 , 2SC5200 , D33D4 , D33D5 , D33D6 , D33J21 , D33J22 , D33J23 , D33J24 , D33J25 .