D33J30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D33J30

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для D33J30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D33J30 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D33J22, D33J23, D33J24, D33J25, D33J26, D33J27, D33J28, D33J29, S9014, D33K1, D33K2, D33K3, D34C1, D34C2, D34C3, D34C4, D34C5