D40N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D40N3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для D40N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D40N3 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D40E6, D40E7, D40K1, D40K2, D40K3, D40K4, D40N1, D40N2, BC549, D40N4, D40N5, D40NU1, D40NU2, D40NU3, D40NU4, D40NU5, D40P1