D44C11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D44C11

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TOP66

 Аналоги (замена) для D44C11

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D44C11 даташит

 9.1. Size:73K  onsemi
 d45c12 d44c12.pdf pdf_icon

D44C11

D45C12 (PNP), D44C12 (NPN) Complementary Silicon Power Transistor The D45C12 and D44C12 are for general purpose driver or medium power output stages in CW or switching applications. http //onsemi.com Features 4.0 AMPERE COMPLEMENTARY Low Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.5 V (Max) SILICON POWER High ft for Good Frequency Response Low Leakage Current TRANSISTORS 80

Другие транзисторы: D43D1, D43D2, D43D3, D43D4, D43D5, D43D6, D44C1, D44C10, BC557, D44C12, D44C2, D44C3, D44C4, D44C5, D44C6, D44C7, D44C8