D44Q1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D44Q1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 31 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для D44Q1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D44Q1 даташит

 ..1. Size:110K  inchange semiconductor
 d44q1 3 5.pdf pdf_icon

D44Q1

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors D44Q1/3/5 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 125V(Min)- D44Q1 = 175V(Min)- D44Q3 = 225V(Min)- D44Q5 High Switching Speed Low Saturation Voltage APPLICATIONS Designed for linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAM

Другие транзисторы: D44H2, D44H3, D44H4, D44H5, D44H6, D44H7, D44H8, D44H9, 2SD2499, D44Q2, D44Q3, D44Q4, D44Q5, D44Q6, D44R1, D44R2, D44R3