D44T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D44T1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 31 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для D44T1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D44T1 даташит

 ..1. Size:104K  inchange semiconductor
d44t1 2.pdfpdf_icon

D44T1

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors D44T1/2 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 250V (Min) High Switching Speed Low Saturation Voltage APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collect

Другие транзисторы: D44R1, D44R2, D44R3, D44R4, D44R5, D44R6, D44R7, D44R8, D209L, D44T2, D44T3, D44T4, D44T5, D44T6, D44T7, D44T8, D44TD3