D44TD3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D44TD3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для D44TD3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D44TD3 даташит

 ..1. Size:103K  inchange semiconductor
 d44td3 4 5.pdf pdf_icon

D44TD3

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors D44TD3/4/5 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 300V(Min)- D44TD3 = 350V(Min)- D44TD4 = 400V(Min)- D44TD5 High Switching Speed Low Saturation Voltage APPLICATIONS Designed for switching regulators, high resolution deflection circuits, inverters and motor

Другие транзисторы: D44T1, D44T2, D44T3, D44T4, D44T5, D44T6, D44T7, D44T8, BC549, D44TD4, D44TD5, D44TE3, D44TE4, D44TE5, D44U1, D44U2, D44U3