D45VM10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D45VM10

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для D45VM10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D45VM10 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D45VH3, D45VH4, D45VH5, D45VH6, D45VH7, D45VH8, D45VH9, D45VM1, 2SC2625, D45VM2, D45VM3, D45VM4, D45VM5, D45VM6, D45VM7, D45VM8, D45VM9