D60T3575. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D60T3575

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 885 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO62

 Аналоги (замена) для D60T3575

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D60T3575 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D56W2, D6, D60ST1520, D60T1520, D60T2575, D60T2590, D60T3075, D60T3090, 2SD669A, D60T3590, D60T4040, D60T4050, D60T4060, D60T4075, D60T4090, D60T4540, D60T4550