Биполярный транзистор D60T3575 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: D60T3575
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 885 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO62
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам