D60T5060. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D60T5060

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 885 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO62

 Аналоги (замена) для D60T5060

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D60T5060 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: D60T4090, D60T4540, D60T4550, D60T4560, D60T4575, D60T4590, D60T5040, D60T5050, 431, D60T5075, D60T6050, D60T6550, D60T6560, D60T7030, D60T7040, D60T7050, D60T7060