Биполярный транзистор D60T5060 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: D60T5060
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 885 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO62
Другие транзисторы... D60T4090 , D60T4540 , D60T4550 , D60T4560 , D60T4575 , D60T4590 , D60T5040 , D60T5050 , BC639 , D60T5075 , D60T6050 , D60T6550 , D60T6560 , D60T7030 , D60T7040 , D60T7050 , D60T7060 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050