D62T6060. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: D62T6060
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1700 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: DISK42
Аналоги (замена) для D62T6060
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
D62T6060 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: D62T4550, D62T4575, D62T4590, D62T5040, D62T5050, D62T5060, D62T5075, D62T6050, TIP42C, D62T6550, D62T6560, D62T7030, D62T7040, D62T7050, D62T7060, D62T7530, D62T7540
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet
