D64DS6 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

D64DS6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: D64DS6
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для D64DS6

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D64DS6 Datasheet (PDF)

NO PDF!

Другие транзисторы... D62T7060 , D62T7530 , D62T7540 , D62T7550 , D62T7560 , D62T8030 , D62T8040 , D64DS5 , MJE340 , D64DS7 , D64DV5 , D64DV6 , D64DV7 , D64ES5 , D64ES6 , D64ES7 , D64EV5 .

History: IMB10AFRA

 

 
Back to Top

 


 
.